华虹半导体申请沟槽的刻蚀方法专利,降低晶圆中间与边缘区域沟槽刻蚀深度差异

华虹半导体申请沟槽的刻蚀方法专利,降低晶圆中间与边缘区域沟槽刻蚀深度差异金融界 2024 年 12 月 12 日消息 国家知识产权局信息显示 华虹半导体 无锡 有限公司申请一项名为 沟槽的刻蚀方法 的专利 公开号 CN A 申请日期为 2024 年 8 月

欢迎大家来到IT世界,在知识的湖畔探索吧!

金融界2024年12月12日消息,国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司申请一项名为“沟槽的刻蚀方法”的专利,公开号CN A,申请日期为2024年8月。

专利摘要显示,本申请提供一种沟槽的刻蚀方法,在采用BOSCH刻蚀工艺刻蚀深沟槽时,在第一刻蚀处理的阶段,同时通入刻蚀气体SF6和钝化气体C4F8,SF6作为刻蚀气体,C4F8与外延层反应并形成保护外延层/沟槽表面的nCF2高分子钝化膜,SF6先与nCF2高分子钝化膜反应,再与外延层反应,使得参与外延层刻蚀反应的等离子变少,从而实现边保护外延层边刻蚀外延层的目的,减少单位时间内反应物和反应副产物的生成,降低了晶圆边缘区域的刻蚀速率,降低晶圆中间区域与边缘区域的刻蚀速率差异,从而降低晶圆中间区域与边缘区域的沟槽刻蚀深度差异,保证了后续沟槽填充的顺利进行,改善了器件的电性结果。

本文源自金融界

免责声明:本站所有文章内容,图片,视频等均是来源于用户投稿和互联网及文摘转载整编而成,不代表本站观点,不承担相关法律责任。其著作权各归其原作者或其出版社所有。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容,侵犯到您的权益,请在线联系站长,一经查实,本站将立刻删除。 本文来自网络,若有侵权,请联系删除,如若转载,请注明出处:https://itzsg.com/98641.html

(0)
上一篇 3天前
下一篇 3天前

相关推荐

发表回复

您的邮箱地址不会被公开。 必填项已用 * 标注

联系我们YX

mu99908888

在线咨询: 微信交谈

邮件:itzsgw@126.com

工作时间:时刻准备着!

关注微信