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前言
对于初学设计硬件电路的同学来说,EMI、EMC、EFT及ESD是什么?基本是不清楚的,但脑海里有一些比较模糊的概念,今天我们就来梳理下具体的内容,为工作或工程中遇到的问题打下理论基础。
在了解四者的概念之前,我们一定要先了解国际电工委员会制定的相关的国际标准:
(1)IEC 61000-4-2, 这个标准定义了ESD是静电放电(Electrostatic Discharge,ESD),而这个标准规定了静电放电抗扰度测试内容。
(2)IEC 61000-4-4,这个标准定义了EFT是电气快速瞬变(Electrical Fast Transient,EFT),这个标准规定了电气快速瞬变突发抗扰度测试。
(3)IEC 61000-4-5,这个标准定义了电磁干扰(Electromagnetic interference,EMI)和电磁兼容性(Electromagnetic Compatibility,EMC)雷击/浪涌抗扰度测试。
01 ESD
静电放电(ESD)测试有不同的电压要求,一般的MCU、数字IC都够保证满足2kV人体模型(Human Body Model,HBM),但是对于与IC之间远距离连接的外部设备,如USB设备、以太网设备、LCD设备、通信设备来说,具有更高的要求等级。IEC 61000-4-2电压严重性测试级别有四级,接触放电2kV、4kV、6kV、8kV,空气放电2kV、4kV、8kV、15kV。引起静电放电的的因素主要是环境因素,器件工作周围处在高压电场范围内、人体接触、空气电离等。
ESD有效的抑制手段有:
(1)瞬态电压抑制器
(2)PCB有效设计
(3)铁氧体磁珠
(4)RC、LC和C滤波器
02 EFT
电气快速瞬变(EFT)出现的因素有:
- 电源突然中断引起感性负载瞬变突发
- 交流线路断路器打开或断开引起的电火花
- 雷击
- 电弧
- 开关电源高开关电流回路大
EFT对硬件电路的以下模块产生较大影响:
- 电源、接地信号
- 复位信号
- 边沿敏感出发信号
- 高阻态信号
- 模拟信号
- 外部通信信号
- CPU
- RAM
EFT的抑制手段:
(1) 电源抑制器:金属氧化物变阻器(Metal Oxide Varistor,MOV)
(2)共模扼流器
(3)铁氧体磁珠
(4)PCB 设计
(5)电容滤波器
(6)双绞线电源线
(7)瞬态电压抑制器(TVS)
03 EMI/EMC
电磁干扰(EMI)一般是内部或外部源产生的干扰,通过电磁感应、静电耦合、传导来影响器件设备的正常工作。电磁兼容涉及电磁能的产生、传播、接收,将会对工作电路引起电磁干扰正常工作。
- 辐射引起电磁干扰
- 来源于电线、变压器、电感辐射的磁场
- 雷击引起的电磁浪涌
- 高速信号反射
- 高速时钟
- 传导,传输信号时,传导路径引起的传导发射,如电缆线之间。
因此,在硬件电路设计中需要考虑这些因素使自己的电路完美的工作。
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