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型号:DGD05473FN-7
品牌:DIODES/美台
批次:22+
封装:DFN-10
库存:30000

DGD05473 是一款能够驱动 N 沟道 MOSFET 的高频栅极驱动器。浮动高边驱动器的额定电压高达 50V。
DGD05473 逻辑输入与标准 TTL 和 CMOS 电平(低至 3.3V)兼容,可轻松与 MCU 连接。用于高侧和低侧的 UVLO 将保护 MOSFET 的电源损失。为保护 MOSFET,防止交叉传导逻辑可防止 HO 和 LO 输出同时开启。
快速且匹配良好的传播延迟允许更高的开关频率,从而使用更小的相关组件实现更小、更紧凑的电源开关设计。为了最小化空间,包括了一个内部自举二极管。DGD05473 采用 W-DFN3030-10(TH 型)封装,可在 -40°C 至 +125°C 的扩展温度范围内工作。
特征
- 50V 浮动高边驱动器
- 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET
- 1.5A 拉电流/2.5A 灌电流输出能力
- 包括内部自举肖特基二极管
- 高侧和低侧驱动器的欠压锁定
- 延迟匹配最大值为 5ns
- 传播延迟典型值为 20ns
- 逻辑输入(HIN、LIN 和 EN)3.3V 能力
- 超低待机电流 (<1µA)
- 扩展温度范围:-40°C 至 +125°C
应用程序
- DC-DC转换器
- 电机控制
- 电池供电的手动工具
- 电子烟设备
- D类功率放大器
- 无线充电器
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