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依据电参数指标和实测的输出特性曲线，利用半导体器件仿真软件对水平沟道恒流二极管输出特性和结构参数进行研究。为了改善常规恒流二极管的恒流值（IH）、夹断电压（VP）、阻断电压（VR）、恒流值高低温变化率对沟道结构参数要求的矛盾关系，提出了一种新型的沟道区非均匀掺杂的恒流二极管器件结构（沟道顶部掺杂浓度较低，沟道底部掺杂浓度较高，纵向杂质分布呈高斯分布），并对新型结构的沟道结构参数进行了优化。
对于常规恒流二极管，虽然采用掺杂浓度较高且宽度较窄的沟道结构，有利于降低恒流二极管恒流值高低温变化率，但器件阻断电压很难满足指标要求。提出的新型非均匀掺杂沟道结构能够优化沟道内及沟道边缘电场分布，较低的沟道顶部掺杂浓度降低了沟道顶部峰值电场强度，显著增大了恒流二极管阻断电压。在较窄沟道条件下，较高的沟道底部掺杂浓度使得恒流值满足指标要求，并显著降低了恒流值高低温变化率。新型沟道非均匀掺杂恒流二极管结构可有效改善恒流值（IH）、夹断电压（VP）、阻断电压（VR）、恒流值高低温变化率对沟道结构参数要求的矛盾关系。
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