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金融界2025年4月18日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司申请一项名为“6561.一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CNA，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其形成方法。其中，半导体结构包括：半导体衬底、堆叠结构和位线结构。堆叠结构和位线结构位于半导体衬底上。堆叠结构包括：沿竖直方向交替层叠的分隔层和复合层。位线结构沿竖直方向延伸，且贯穿堆叠结构。半导体衬底包括：阵列区和外围区；位于所述外围区的所述堆叠结构包括：电容器区。电容器区沿第一方向相对的两侧之外，分别形成有一排位线结构。其中，电容器区的复合层包括：第一极板。第一极板，间隔分布于电容器区的复合层沿第一方向相对的两侧，且向外侧凸出。每个第一极板，连接至对应的位线结构。
天眼查资料显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司专利信息4条，此外企业还拥有行政许可1个。
本文源自金融界
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