采用TSSOP-8封装的混合MOS管FL8205，可用于可穿戴和电池保护应用

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混合MOS管作为一种常见的MOS器件，它的作用主要是开关、整流、稳压和电路保护等。本期，合科泰给大家介绍一款混合MOS管产品FL8205，它采用TSSOP-8封装，可应用于电源、LED 驱动器、小型可穿戴设备和电池保护系统等应用。

FL8205的特性

合科泰生产的这款混合MOS管FL8205具有非常优良的的产品特性，它采用N+N沟道，漏源电压20V，栅源电压±4.5V，连续漏极电流6A，漏源导通电阻0.025欧姆，最小栅极阀值电压0.5V，最大栅级阀值电压1V，耗散功率1500mW。这款桥堆具有内阻低和驱动电压小等特性。

FL8205混合MOS管产品采用先进的沟槽技术，漏源导通电阻低，具有低栅极阀值电压，适用很多小电压电路应用。合科泰生产的这款FL8205采用小型化封装TSSOP-8，这种封装的特点是体积小、低功耗、高效率、可靠性高、易于集成等。

FL8205的应用

作为一款体积小、集成度高的MOS产品，FL8205的性能强大，可靠性高，可以让客户在非常有限空间实现更多的产品功能，它被广泛应用于平板电脑、手机、便携式音频设备、电视机、摄像机、游戏机、无线路由器、基站、调制解调器、传感器设备、仪器仪表和监测器等领域。

以锂电池保护应用为例，上图是一个非常常用的FL8205应用电路（锂电池充放电保护电路）。这个电路用到了合科泰生产的锂电池保护IC产品DW01和混合MOS管FL8205（FL8205由Q1和Q2两个NMOS管组成）。该电路的目的是实现对单节锂离子或锂聚合物电池高精度的保护电压（过充/过放）检测，在过放电情况下，可选择允许低功耗模式或禁止低功耗模式。这个电路的原理是这样的，正常状态下DW01 的 VDD端电压在过电压充电保护阈值（VOC）和过电压放电保护阈值（VOD）之间，且其 VM 检测端电压在充电器检测电压（VCHG）与过电流放电保护阈值（ VEDI）之间，此时 DW01 的 COUT 端和 DOUT 端都输出高电平，分别使外接充电控制N-MOS 管 Q1 和放电控制 N-MOS 管 Q2 导通。这时，既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使电池放电。

DW01 通过检测 VDD 或 VM 端电压（相对于 VSS端）来进行过充/放电保护。当充/放电保护条件发生时，COUT/DOUT 由高电平变为低电平，使 Q1/Q2 由导通变为截止，从而充/放电过程停止。DW01对每种保护状态都有相应的恢复条件，当恢复条件满足以后，COUT/DOUT 高电平，使Q1/Q2 由截止变为导通，从而进入正常状态。DW01 对每种保护 /恢复条件都设置了一定的延迟时间，只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后，才进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的延迟时间以前消除，则不进入保护/恢复状态。

这个锂电池充放电保护电路充分利用了FL8205的内阻低和漏源电压低等特性。作为一款经典的混合MOS管产品，FL8205在很多电路中发挥作用。作为一家原厂，合科泰生产的FL8205产品具有强大、可靠、稳定的产品性能，是客户采购混合MOS管产品绝佳选择。