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MOSFET的饱和区和线性区都表现为沟道开启的状态，但是两者的根本区别在于，沟道是否遭遇夹断。
栅极电压会均匀地改变沟道宽度，而源-漏电压会使沟道宽度在漏极一侧不均匀变化，进而导致沟道在漏极端首先被夹断。
在MOSFET的线性区，由于源-漏电压相对较低，整个沟道宽度从头到尾变化并不大，这使得栅极电压对沟道导电的控制能力相对较弱，因此跨导相对较小。
随着源-漏电压的增加，沟道宽度的变化幅度提升，尤其是漏端沟道宽度的变小，增强了栅极电压对沟道导电的控制，导致跨导增大。
而在饱和区，源-漏电压较高，沟道夹断，即漏极端沟道宽度降至0，此时栅极电压对沟道导电的控制能力极强（即使微小的栅极电压变化，也能控制沟道的导通与截止），因此这时的跨导很大，饱和区的跨导值远大于线性区跨导。
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