±50nm气浮平台有多牛?是晶圆切割最难的底层技术

±50nm气浮平台有多牛?是晶圆切割最难的底层技术近日,重复定位精度达到±50nm的超精密气浮平台研发成功,这对半导体晶圆制造来说,是个大好消息。纳米级气浮平台在半导体制造中,应用于晶圆切割、检

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近日,重复定位精度达到±50nm的超精密气浮平台研发成功,这对半导体晶圆制造来说,是个大好消息。纳米级气浮平台在半导体制造中,应用于晶圆切割、检测、封装等工艺环节,气浮平台达到了±50nm超高精的重复定位精度,是晶圆制造中难度极高的底层技术。

超精密气浮平台的主要原理

气浮平台是由空气轴承结合电控元件构成的精密位移平台,主要构成部分包括底座、导轨、气浮滑块和顶板等,是作为精密定位的部件,承载需要作精密定位的零件或工具。气浮平台采用直线电机驱动,定位平台的悬浮工作原理是在供气孔道中通入一定气压的压缩空气,气体经过节流孔在气浮滑块与导轨、底座的相对面中形成 10μm 左右的气膜并产生一定的悬浮力,气膜支撑气浮滑块与顶板组成的滑台作一维直线运动,当悬浮力与实验平台重量平衡时,这个运动平台处于稳定悬浮状态。

±50nm气浮平台有多牛?是晶圆切割最难的底层技术

相对于传统机械接触式滑轨,气浮导轨靠气体静压将气浮模块支撑起来,而气体与气浮模块之间的摩擦力几乎为零,可以忽略不计。另外,气浮模块和气浮导轨之间具有一定弹性,可降低对气浮导轨表面的加工精度,方便加工制造。

重复定位精度达±50nm的气浮平台采用“济南青”石料经精密机械加工,结构精密,质地均匀坚硬,耐磨性强,形态极为稳定,强度大,硬度高,无磁性反应,无塑性变形,是理想的基准面,可以获得高而稳定的精度。

±50nm气浮平台有多牛?是晶圆切割最难的底层技术

超精密气浮平台的特点和背景介绍

超精密气浮平台的产品特点:

1.非接触式气浮结构。

2. 高直线、平面度指标。

3.精密光栅尺闭环反馈。

4. 外观结构紧凑。

背景介绍:

1.±50nm超精密气浮平台是目前国内性能卓越的气浮直线台之一,可作为单轴使用,或根据应用与其它轴组装成系统,广泛应用于精密加工,测试测量,扫描、半导体及光子学等行业。

2.采用非接触式气浮导轨、直线电机驱动和光栅尺反馈装置组成整个系统,可免维护运行。因为运动元件间没有机械接触,随着时间的推移,不会出现磨损或性能下降,使用寿命长。

±50nm气浮平台有多牛?是晶圆切割最难的底层技术

3. 气浮导轨不需要润滑,只需要清洁及干燥的气体,是客户应用的理想选择。

4. 气浮导轨基于气体动静压效应,实现无摩擦和无振动的平滑移动,与摩擦式导轨相比,气浮平台的直线度、平面度等指标得到了很大提高,同时由于非接触式,伺服反馈的跟随误差有了质的飞跃,定位精度和重复定位精度得到了显著提高。

克洛诺斯纳米级气浮平台晶圆检测系统解决方案:

需要精密定位的工艺环节,都需要高精度的电机驱动控制和导轨。晶圆切割要在极短的曝光时间内完美定位,就需要靠精密机械运作和实时的定位校正纳米级超精密气浮平台借由非接触式气浮导轨结构、直线电机驱动的移动方式,高平面度指标保证了理想的切割直线,同时能够实现高动态响应和快速位置整定,能达成极高速的运动和持久稳定的运作,在半导体晶圆切割等精密应用中,是理想选择。

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经过多年精密运动平台的技术积累和沉淀,已形成了一整套完备的精密运动平台系统的研发和生产体系,特别在气浮理论计算、结构优化设计、精密集成组装和测试等方面具备雄厚的实力。

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