苏州旭创申请光芯片结构及其制备方法专利,实现光耦合

苏州旭创申请光芯片结构及其制备方法专利,实现光耦合金融界 2024 年 12 月 19 日消息 国家知识产权局信息显示 苏州旭创科技有限公司申请一项名为 光芯片结构及其制备方法 的专利 公开号 CN A 申请日期为 2023 年 6 月

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金融界2024年12月19日消息,国家知识产权局信息显示,苏州旭创科技有限公司申请一项名为“光芯片结构及其制备方法”的专利,公开号 CN A,申请日期为2023年6月。

专利摘要显示,本申请涉及一种光芯片结构及其制备方法,包括:提供基底以及半成品芯片,基底包括第一衬底、形成于第一衬底上的隔离介质层、第一半导体光器件以及第一波导,半成品芯片包括第二衬底以及位于第二衬底一侧的半成品薄膜层,半成品薄膜层与第一波导采用不同的材料制成,第一衬底包括硅衬底;于隔离介质层内形成凹槽,第一波导至少部分位于凹槽与第一衬底之间;通过半成品薄膜层将半成品芯片键合于凹槽内,使半成品薄膜层与第一波导相光耦合;去除半成品芯片的第二衬底形成第二半导体光器件;进行金属化形成分别连接第一半导体光器件和第二半导体光器件的电极结构。

本文源自金融界

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