p沟道结型场效应管

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场效应管是一种由多数载流子导电的半导体器件。其工作原理是：在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正反相临的带相反电荷的气流隔开，形成势垒。当入射光子的能量大于势垒内电子与空穴复合时，则将使电子被激发而脱离势垒进入对方区域。由于P沟道和N沟道的能带不同（即P沟道能隙较窄），因此当光子能量超过一定阈值时（即阈值电压Up高于某一数值），则多余的能量将使价带中的电子和空穴发生复合而释放出能量并转化为电能。

P型场效应管的放大原理

（1） P-N结两边加上正向偏压U1后，在垂直于PN 结方向的电场的作用下，少数载流子在电场作用下从P区注入到N区中；同时反向电流I0从N 区流入到P区中。

（2） 当外加电压增大时（U1> U2 时），多数载流子在电场力作用下由N 区的低端向运动；少数载流子和反向电流I0 在反向电压的作用下也从P 区的低端向移动。（3） 当外加电压进一步增大时（U1= U2 ） ，少数载流子运动至 N 区顶端附近时将不再移动而变成自由粒子——这就是所谓的耗尽现象——这时若继续增加电压 （U2= U1） ，则少数载流子不仅不会减少反而会迅速增加。

（4） 由于多数载流子是单层膜结构，所以它只能在一定的方向范围内通过较大的电流；而在垂直于PN 结的方向上只能通过较小的电流 。

（5） 当外加电压达到某一数值后 （称为截止电压 ），大多数的电子被击穿而产生漏极开路的高频信号输出——这是由于输入端已无信号可加所致 。

（6） 若此时减小外加电源的幅度或延长关断时间 T1，则漏极回路中将产生很大的反向电动势E2，该电动势的大小与电源有关 ：当外施功率小于电源的内阻 R1 时 ，E2≈ 0 ；否则 E2=R1。

（7） 由于漏极回路的电阻很小且变化量很小 （一般小于 10mΩ） ，故可以通过改变外施功率来控制电路工作频率的高低 。

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